华南脑成像实验中心

李论雄

2017-12-20 10:12:28 来源:金沙游戏(亚洲)集团有限公司 点击: 收藏本文


2012年厦门大学博士毕业,留校从事博士后工作,主要从事电子束辐照低维纳米材料结构稳定性、纳米加工、电镜原位离位观察分析及纳米制备,2013年在华南师范大学脑成像中心担任实验师,主要从事磁共振成像设备操作,维护和管理,以及相关数据的处理。主持国家自然科学青年基金1项,在国内外核心期刊发表论文10余篇,申请专利5项。


期刊论文:

1. Li Lunxiong,Su Jiangbin,Zhu Xianfang,Non-uniform shrinkage of multiple-walled carbon nanotubes under in situ electron beam irradiation,Applied Physics A:Materials Science & Processing,122: 912, 2016 (SCI和EI收录)

2. Zhu Xianfang、Li Lunxiong, Su, Jiangbin, Wang Lianzhou,Beam-Induced Nonuniform Shrinkage of Single-Walled Carbon Nanotube and Passivation Effect of Metal Nanoparticle,Journal of Physical Chemistry C, 119: 6239-6245, 2015 (SCI和EI收录)

3. Zhu Xianfang, Gong Huimin, Yang Lan, Li Lunxiong, and Sun Chenghua, Non uniform shrinkages of double-walled carbon nanotube as induced by electron beam irradiation, Applied Physics Letters, 105: 093103, 2014 (SCI和EI收录)

4. Zhu Xianfang*, Li Lunxiong, Huang Shengli, Wang Zhanguo, Lu Gaoqing, Sun Chenghua, Wang Lianzhou, Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage, Carbon, 49: 3120-3124, 2011  (博士导师第一作者,SCI和EI收录, JCR一区期刊)

5. 李论雄,苏江滨,吴燕,朱贤方*,王占国, 电子束诱导单壁碳纳米管不稳定性的新观察,物理学报,3:036401,2012 (SCI和EI收录)

6. 李论雄,苏江滨,程璇,朱贤方*,原位电子束辐照下多壁碳纳米管的非均匀收缩,中国科技论文在线,文章号:201401-541,2014

7. Su Jiangbin*, Wang Honghong, Jiang Meiping, Li Lunxiong, Bias deposition of nanoporous Cu thin films, Mater. Lett., 102-103: 72-75, 2013 (SCI和EI收录)

8. Su Jiangbin*, Li Lunxiong, Zhu Xianfang, Formation and evolution of Cu nanostructures on the surface of nanosized Cu films under high vacuum annealing, Advanced Materials Research, 361-363: 1582-1588, 2012 (EI收录)

9. Huang Shengli, Wu Yan, Zhu Xianfang*, Li Lunxiong, Wang Zhanguo, Wang Lianzhou, Lu Gaoqing, VLS growth of SiOx nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter, Journal of Applied Physics, 109: 084328, 2011 (SCI和EI收录)

10. 公会敏,朱贤方*,李论雄,原位观察电子束辐照下双壁碳纳米管的不稳定性,科学通报,57:1692-1696,2012

11. 苏江滨,朱贤方*,李论雄,王连洲,王占国,聚焦电子束诱导SiOx纳米线表面碳沉积的分形生长,科学通报,55:1632-1637,2010

12. 苏江滨,朱贤方*,李论雄,王占国,聚焦电子束诱导碳沉积实现纳米线表面可控修饰,科学通报,55:1288-1293,2010

 

相关专利:                          

1. 朱贤方,苏江滨,李论雄,吴燕,一种硅基纳米线的表面异质修饰方法,中国国家发明专利,专利号:CN101798058A,授权公告日:2013.6.19

2. 朱贤方,苏江滨,吴燕,李论雄,黄胜利,逯高清,王连洲,一种非晶SiOx纳米线的修饰加工方法,中国国家发明专利,专利号:CN101591004B,授权公告日: 2011.09.07

3. 朱贤方,吴燕,苏江滨,李论雄,黄胜利,逯高清,王连洲,一种非晶SiOx纳米线的电子束聚焦辐照加工方法,中国国家发明专利,专利号:CN101591003B,授权公告日:2011.06.22

4. 朱贤方,苏江滨,李论雄,吴燕,黄胜利,逯高清,王连洲,一种非晶SiOx纳米线的焊接方法,中国国家发明专利,专利号:CN101602484B,授权公告日:2011.06.08

5. 苏江滨, 李论雄, 金旦, 谢建生,一种纳米铜膜基铜纳米结构的制备方法, 中国国家发明专利,2010,申请号:201010278840.6